检测项目
化学成分检测：
- 锗含量测定：总锗量≥99.999wt%（参照ASTM E34）
- 杂质元素分析：砷≤0.0001wt%、硅≤0.001wt%
- 密度测定：5.323±0.001 g/cm³
- 熔点测试：937.4±0.5°C
- 重金属杂质检测：铅≤0.0005wt%、镉≤0.0002wt%
- 非金属杂质检测：碳≤0.001wt%、氧≤0.002wt%
- 晶格常数测量：a=5.657±0.001 Å
- 晶体缺陷评级：位错密度≤1000/cm²
- 电阻率测定：0.1-50 Ω·cm
- 载流子浓度：1E14-1E18 cm⁻³
- 热导率测试：60±2 W/m·K
- 热膨胀系数：6.1E-6/K
- 硬度测试：维氏硬度500±20 HV
- 抗弯强度：≥100 MPa
- 表面粗糙度：Ra≤0.1μm
- 氧化层厚度：≤10 nm
- 总杂质含量：≤10 ppm
- 放射性检测：铀≤0.001 Bq/g
- 耐腐蚀性：盐雾试验≥48小时
- 温度循环测试：-40至150°C 100次循环
检测范围
1. 高纯锗锭： 检测重点为杂质元素含量（砷、铅）和晶体完整性（位错密度），确保锗纯度≥99.999wt%用于半导体基材。
2. 锗粉末： 侧重粒度分布（D50=5-50μm）和化学纯度（碳≤0.001wt%），支持粉末冶金应用。
3. 锗晶圆： 用于红外器件，检测表面缺陷（粗糙度≤0.1μm）和电学性能（电阻率0.1-50 Ω·cm）。
4. 锗硅合金： 检测成分均匀性（锗硅比偏差±1%）和热稳定性（热膨胀系数6.1E-6/K），针对热电材料。
5. 二氧化锗化合物： 侧重纯度验证（总杂质≤10 ppm）及杂质分析（氧≤0.002wt%），用于催化剂制备。
6. 锗薄膜： 沉积层检测厚度均匀性（±5 nm）和附着性（划痕测试≥5N），适用于光学涂层。
7. 回收锗材料： 从电子废料中提取，检测污染物（铅≤0.0005wt%）和再利用性（锗回收率≥95%）。
8. 锗基半导体器件： 如二极管，检测性能参数（载流子浓度1E14-1E18 cm⁻³）和环境适应性（温度循环）。
9. 锗光学材料： 用于红外镜头，检测光学均匀性（折射率偏差±0.001）和表面质量。
10. 锗纳米颗粒： 侧重尺寸分布（10-100 nm）和表面化学（碳含量≤0.001wt%），支持纳米技术应用。
检测方法
国际标准：
- ASTM E34-21 锗化学分析方法（采用ICP-MS技术）
- ISO 6355:2020 锗材料物理性能测试（规定密度和熔点测量精度）
- ISO 148-1:2022 材料冲击试验方法（适用于机械性能检测）
- GB/T 4325.1-2021 锗化学分析方法（比ASTM更严格杂质检测限）
- GB/T 228.1-2021 金属材料拉伸试验（用于机械性能，应变速率差异：GB要求0.00025 s⁻¹）
- GB/T 4334-2020 不锈钢腐蚀试验（适用于环境适应性检测）
检测设备
1. 电感耦合等离子体质谱仪： ICP-MS-5000型（检测限0.1 ppb）
2. X射线荧光光谱仪： XRF-2000型（元素范围Na-U）
3. 原子吸收光谱仪： AAS-1000型（波长精度±0.1 nm）
4. 扫描电子显微镜： SEM-3000型（分辨率1 nm）
5. 万能材料试验机： UTM-50kN型（载荷精度±0.5%）
6. 热分析仪： DSC-TGA-800型（温度范围RT-1500°C）
7. 电导率测试仪： EC-100型（测量范围0.01-100 S/m）
8. 密度计： Dens-200型（精度0.001 g/cm³）
9. 表面轮廓仪： Profilometer-PRO（分辨率0.01 μm）
10. 粒度分析仪： PSA-500型（范围0.1-1000 μm）
11. 红外光谱仪： IR-4000型（波长2.5-25 μm）
12. 放射性检测仪： Rad-Safe型（灵敏度1 Bq）
13. 环境试验箱： TempChamber-100（温度-70至180°C）
14. 金相显微镜： MetalScope-500（放大倍数50-1000x）
15. 真空熔炼炉： VacFurnace-VF10（真空度10^{-6} mbar）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
